浙江广芯微电子申请面向特高压 MOS 的场景自适应老化测试方法及系统专利，提高 MOS 器件老化测试的针对性和结果准确性_电子百科

浙江广芯微电子申请面向特高压 MOS 的场景自适应老化测试方法及系统专利，提高 MOS 器件老化测试的针对性和结果准确性

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2025-05-16 14:07:16

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金融界 2025 年 5 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司申请一项名为“面向特高压 MOS 的场景自适应老化测试方法及系统”的专利，公开号 CN119986303A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种面向特高压 MOS 的场景自适应老化测试方法及系统，涉及 MOS 测试相关技术领域，该方法包括：建立器件老化测试平台；对目标特高压 MOS 器件的应用场景信息进行测试条件解析；对目标特高压 MOS 器件进行预测试调整，确定老化测试更新参数表；对目标特高压 MOS 器件进行老化测试监测；调用特高压 MOS 老化自适应评估器，对器件老化场景测试数据流集进行处理评估，得到器件场景老化性能测试结果。解决了现有技术中存在的 MOS 老化测试缺乏场景适应性、难以精确模拟实际应用环境中 MOS 器件老化过程，导致测试针对性不足、结果准确性较差的技术问题，达到了提高 MOS 器件老化测试的针对性和结果准确性的技术效果。

天眼查资料显示，浙江广芯微电子有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5545.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江广芯微电子有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

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