紫光国芯申请集成电路及集成电路通孔偏移检测方法专利，提高DRAM产品的良率_电子百科

紫光国芯申请集成电路及集成电路通孔偏移检测方法专利，提高DRAM产品的良率

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2025-06-22 00:37:06

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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光国芯电子有限公司、西安紫光国芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种集成电路及集成电路通孔偏移检测方法”的专利，公开号CN120184150A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提出了一种集成电路及集成电路通孔偏移检测方法，该集成电路上设置有用于通孔偏移检测的测试单元；测试单元包括自上而下依次堆叠设置的至少一组导体组，一组导体组包括相邻的两个导体层及相邻两个导体层之间设置的通孔，在通孔存在偏移时，通孔连通相邻设置的两个导体层；在通孔不存在偏移时，相邻设置的两个导体层不会通过通孔连通。本发明通过测试单元检测相邻两个导体层之间的通孔是否存在偏移，从而确定相邻两个导体层之间是否连通，实现在DRAM制造过程中进行通孔偏移情况的检测，提高DRAM制造过程中的监控能力，同时便于加工人员根据通孔的偏移检测结果及时处理通孔偏移问题，以提高DRAM产品的良率。

天眼查资料显示，成都紫光国芯电子有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光国芯电子有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可3个。

西安紫光国芯半导体股份有限公司，成立于2006年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本12312.8103万人民币。通过天眼查大数据分析，西安紫光国芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息802条，此外企业还拥有行政许可23个。

来源：金融界

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