铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，装置具备下部绝缘膜及多个下部焊盘
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2025-06-22 00:37:15
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120184127A，申请日期为2024年09月。

专利摘要显示，根据一个实施方式，半导体装置具备下部绝缘膜、和设置在所述下部绝缘膜内的多个下部焊盘。所述装置还具备设置在所述下部绝缘膜上的上部绝缘膜、和在所述下部绝缘膜内设置在所述多个下部焊盘上的多个上部焊盘。此外，所述多个上部焊盘所包含的第二焊盘配置在所述多个下部焊盘所包含的第一焊盘上，所述第二焊盘的构造与所述第一焊盘的构造不同。

来源：金融界

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