四方光电申请一种金属氧化物半导体传感器专利，减小传感器的灵敏度降低的可能性
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2025-06-24 11:09:06
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，四方光电股份有限公司申请一项名为“一种金属氧化物半导体传感器”的专利，公开号CN120201663A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及气体传感器的技术领域，尤其是涉及一种金属氧化物半导体传感器，包括保护壳体、底板、加热件及选择性膜。所述保护壳体的一端开口；所述底板设置在所述保护壳体内，所述底板上设置有半导体层，所述半导体层上设置有电极组；所述加热件设置在所述保护壳体内并位于所述底板背离所述半导体层的一侧；所述选择性膜设置在所述保护壳体上并覆盖所述开口，所述选择性膜用于过滤气体，以使特定气体进入所述保护壳体内。
天眼查资料显示，四方光电股份有限公司，成立于2003年，位于武汉市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，四方光电股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目63次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息211条，此外企业还拥有行政许可35个。
来源：金融界
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