格恩半导体申请提高光效芯片结构专利，进而可以提高整个器件的发光光效
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2025-05-16 15:05:23
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种提高光效的芯片结构”的专利，公开号 CN119997690A，申请日期为 2025 年 4 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种提高光效的芯片结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷以及两侧的第二凹陷，其中第一凹陷位于第一区域，第二凹陷位于第二区域；大部分接触于第二绝缘层表面并且与第一半导体层形成电连接的第二反射层，第二反射层填充于第一凹陷，且部分覆盖第二凹陷；在第一区域中未覆盖第一反射层的区域覆盖第二反射层；在第二区域中第二反射层覆盖于第二绝缘层表面。本发明采用双反射层结构设计，在非发光区域引入新的反射层，使得非发光区域同样存在反射效果，进而可以提高整个器件的发光光效。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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