华虹半导体申请MIM电容的形成方法专利，提升ALD工艺的沉积速度
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2025-06-24 22:09:12
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MIM电容的形成方法”的专利，公开号CN120201732A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种MIM电容的形成方法，包括：在下电极层上形成缓冲层，该下电极层形成于晶片上；将晶片至于ALD机台的反应腔室中，通入TMA气体进行预处理；进行至少一次生长循环在下电极层上方形成氧化铝薄膜，在每次生长循环过程中依次通入水蒸气和TMA气体；在氧化铝薄膜上形成上电极层。本申请通过在MIM电容的制作工艺中在形成下电极层后形成缓冲层，从而在后续的ALD工艺中的TMA更容易吸附在薄膜表面，且TMA中的羰基更容易与缓冲层中的金属元素发生化学吸附作用，从而比羟基有更多的吸附位点和吸附量，进而降低了诱导期时间，提升ALD工艺的沉积速度，且表面成核更为均匀，形成的薄膜层的整体均匀度也得到了显著改善。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2923次，专利信息1684条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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