华虹半导体申请MIM电容的形成方法专利，提升ALD工艺的沉积速度
创始人
2025-06-24 22:09:12
0次
金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MIM电容的形成方法”的专利，公开号CN120201732A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种MIM电容的形成方法，包括：在下电极层上形成缓冲层，该下电极层形成于晶片上；将晶片至于ALD机台的反应腔室中，通入TMA气体进行预处理；进行至少一次生长循环在下电极层上方形成氧化铝薄膜，在每次生长循环过程中依次通入水蒸气和TMA气体；在氧化铝薄膜上形成上电极层。本申请通过在MIM电容的制作工艺中在形成下电极层后形成缓冲层，从而在后续的ALD工艺中的TMA更容易吸附在薄膜表面，且TMA中的羰基更容易与缓冲层中的金属元素发生化学吸附作用，从而比羟基有更多的吸附位点和吸附量，进而降低了诱导期时间，提升ALD工艺的沉积速度，且表面成核更为均匀，形成的薄膜层的整体均匀度也得到了显著改善。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2923次，专利信息1684条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
厦门鑫众通电子取得基于人工智能...
国家知识产权局信息显示，厦门鑫众通电子有限公司取得一项名为“基于人工智能的储能电源管理系统、方法及装...
锐锋焰申请基于多电位域动态解耦...
国家知识产权局信息显示，深圳锐锋焰科技有限公司申请一项名为“一种基于多电位域动态解耦的可重构电池系统...
上海隧道工程申请大功率变频设备...
国家知识产权局信息显示，上海隧道工程有限公司申请一项名为“大功率变频设备配电箱及剩余电流保护装置”的...
山东科汇取得配电网单相接地故障...
国家知识产权局信息显示，山东科汇电力自动化股份有限公司取得一项名为“一种配电网单相接地故障的电压消弧...
光力科技：公司国内半导体业务目...
光力科技：公司国内半导体业务目前处于满产状态 人民财讯6月1日电，光力科技(300480)日前在机构...
泰德半导体取得载台二维码标记设...
国家知识产权局信息显示，深圳泰德半导体装备有限公司取得一项名为“载台二维码标记设备”的专利，授权公告...
上海光通信申请芯片测试限值处理...
国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为“芯片测试限值的处理方法与装置”的专利，公开号...
PCB概念板块短线拉升
PCB概念板块短线拉升， 圣泉集团涨停， 合锻智能、 龙旗科技、 中京电子此前封板， 宏昌电子、 澳...
苏州茗泰科技取得防误触绝缘防护...
国家知识产权局信息显示，苏州茗泰科技有限公司取得一项名为“一种防误触绝缘防护型配电开关控制结构”的专...
平高集团申请模块化LCL滤波器...
国家知识产权局信息显示，平高集团有限公司;西安平高智慧能源有限公司申请一项名为“一种模块化的LCL滤...