中芯国际申请光电传感器专利，有利于提高光电探测效率_电子百科

中芯国际申请光电传感器专利，有利于提高光电探测效率

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2025-05-15 10:15:54

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金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司；中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“光电传感器及其形成方法”的专利，公开号CN119894129A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种光电传感器及其形成方法，光电传感器包括：基底，基底具有受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区，在像素单元区中，基底的受光面一侧形成有多个第一凸起，第一凸起的横向尺寸与纵向尺寸均小于光的波长；透光层，覆盖基底的受光面，并填充于相邻第一凸起之间。本发明有利于减小光的反射损失，有利于增加受光面上光的透射，有效增加透射光子数，有利于增加光信号收集，从而有利于提高光电探测效率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息148条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

来源：金融界

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