金融界2025年5月17日消息,国家知识产权局信息显示,普森美微电子技术(苏州)有限公司取得一项名为“一种半导体放电管复合压敏电阻结构”的专利,授权公告号CN222867351U,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,本实用新型公开了一种半导体放电管复合压敏电阻结构,属于压敏电阻领域。包括压敏电阻和半导体放电管,所述的压敏电阻与半导体放电管通过导线相连接,所述的半导体放电管与压敏电阻相连的另一端设置有放电管导线,所述的放电管导线与压敏电阻、半导体放电管之间的导线相连接,本实用新型通过对压敏电阻以及半导体放电管的组合,设计了一种TSS(半导体放电管)复合MOV(压敏电阻)的复合型压敏电阻,并且采用的小型化贴片封装,能够有效的延长MOV在正常工作时的工作寿命。本方案与现有技术中MOV串联GDT的方案进行对比,TSS的动作时间更短,TSS被击穿后残压更低、漏流更低,并且可靠性更高,能够经受更多次数的击穿,拥有更长的使用寿命。
天眼查资料显示,普森美微电子技术(苏州)有限公司,成立于2019年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4249.1733万人民币。通过天眼查大数据分析,普森美微电子技术(苏州)有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息8条,专利信息74条,此外企业还拥有行政许可5个。
来源:金融界