长飞半导体申请半导体器件及相关专利，提升半导体器件可靠性
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2025-05-17 17:04:11
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号 CN119997538A，申请日期为 2025 年 1 月 。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，该制备方法包括，形成半导体本体，半导体本体被设置为第一导电类型，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，形成源极沟槽，源极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中，在源极沟槽内形成绝缘层和源极沟槽结构，源极沟槽结构包括靠近第二表面的底面和与底面连接的侧壁，绝缘层设置于源极沟槽结构与源极沟槽之间，在第一表面形成层间绝缘层，去除源极沟槽结构的靠近第一表面的部分，使侧壁被绝缘层覆盖，在第一表面形成源极，在第二表面形成漏极，旨在实现对半导体器件可靠性的提升。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息189条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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