长飞半导体申请半导体器件及相关专利,提升半导体器件可靠性
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2025-05-17 17:04:11
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金融界2025年5月17日消息,国家知识产权局信息显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利,公开号 CN119997538A,申请日期为 2025 年 1 月 。

专利摘要显示,本申请提供了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,涉及半导体技术领域,该制备方法包括,形成半导体本体,半导体本体被设置为第一导电类型,半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面,形成源极沟槽,源极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中,在源极沟槽内形成绝缘层和源极沟槽结构,源极沟槽结构包括靠近第二表面的底面和与底面连接的侧壁,绝缘层设置于源极沟槽结构与源极沟槽之间,在第一表面形成层间绝缘层,去除源极沟槽结构的靠近第一表面的部分,使侧壁被绝缘层覆盖,在第一表面形成源极,在第二表面形成漏极,旨在实现对半导体器件可靠性的提升。

天眼查资料显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司,成立于2018年,位于芜湖市,是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目29次,财产线索方面有商标信息75条,专利信息189条,此外企业还拥有行政许可12个。

来源:金融界

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