索尼半导体申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，提高了可靠性
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2025-05-18 13:06:52
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金融界 2025 年 5 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号 CN119908034A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，提供一种具有围绕通孔形成的环状沟槽的半导体装置，其中，提高了可靠性。在本发明中，半导体装置包括半导体基板、贯通布线、背面绝缘膜和环状沟槽。布线层形成在半导体基板的表面上。通孔贯穿半导体基板。贯通布线沿着通孔的侧表面形成。背面绝缘膜覆盖半导体基板的相对于表面的背面。环状沟槽在从与背面垂直的方向观察时包围通孔，并且在从与背面平行的方向观察时已在其内部形成由背面绝缘膜封堵的空洞部。

来源：金融界

制造 方法 沟槽 绝缘 提高了 装置 环状 通孔 导体 专利 半导体 绝缘膜 基板

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