杭州镓仁半导体取得一种氧化镓晶体生长炉专利，大幅减少晶体位错
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2025-08-02 11:17:00
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司取得一项名为“一种氧化镓晶体生长炉”的专利，授权公告号CN223176257U，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种氧化镓晶体生长炉，包括炉体和升降机构，炉体内的功能组件将炉体的内腔分隔出生长腔和预热退火腔，升降机构包括坩埚和升降组件，升降组件能够带动坩埚进出生长腔和预热退火腔，以使坩埚内的物料能够在预热退火腔内进行预热，在生长腔内完成氧化镓晶体生长，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行退火。本实用新型的生长炉采用生长腔和预热退火腔分隔开来的双腔结构，且功能组件能够散热状态和隔热状态之间进行切换，以适应氧化镓晶体生长和退火处理的不同温度需求，生长完成的氧化镓晶体在预热退火腔内进行原位退火，大幅减少了晶体位错。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本148.0918万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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