中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了光电传感器的集成度_电子百科

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了光电传感器的集成度

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2025-08-02 17:14:06

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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120417514A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面与第二面，所述第一衬底包括若干相互分立的感光区；位于相邻感光区之间的隔离沟槽；位于所述隔离沟槽内的电容结构，所述电容结构包括位于所述隔离沟槽两侧侧壁表面的反射电极层以及位于所述反射电极层之间的介电层。电容结构位于隔离沟槽内，减小了电容结构在光电传感器中垂直于第一衬底方向上的尺寸，提高了光电传感器的集成度，且电容结构中包括反射电极层，所述反射电极层将相邻感光区隔离开，实现了各个感光区之间的光学隔离。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

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