捷捷微电取得沟槽隔离结构及半导体器件专利，提高深沟槽区域的雪崩击穿电压
创始人
2025-05-19 11:09:08
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，捷捷微电(南通)科技有限公司取得一项名为“一种沟槽隔离结构及半导体器件”的专利，授权公告号CN222885081U ，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽隔离结构及半导体器件，涉及半导体技术领域，本申请的沟槽隔离结构，包括基体，基体上至少包括第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，第一凹槽的槽底设置第一隔离体，第二凹槽的槽底设置第二隔离体，第一隔离体和第二隔离体的上表面与基体的上表面距离相等，第一凹槽和第二凹槽的侧壁还设置有介电层。本申请提供的沟槽隔离结构及半导体器件，能够提高深沟槽区域的雪崩击穿电压。
天眼查资料显示，捷捷微电(南通)科技有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本168000万人民币。通过天眼查大数据分析，捷捷微电(南通)科技有限公司参与招投标项目30次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可13个。
来源：金融界
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