上海积塔半导体申请半导体结构及其制作方法专利，降低生产成本
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2025-05-19 11:35:05
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN119993911A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，于衬底表面形成层间介质材料层；于层间介质材料层远离衬底的一侧形成图形化掩膜层；以图形化掩膜层为掩膜对层间介质材料层进行刻蚀之后，对图形化掩膜层进行氧化处理，使图形化掩膜层转变为氧化物掩膜层；对氧化物掩膜层进行去除。该半导体结构的制作方法能够显著降低生产成本，同时提升半导体结构的生产良率和可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1817次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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