安徽格恩申请半导体激光元件专利，降低激光元件的激发阈值
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2025-05-19 19:05:58
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件”的专利，公开号CN120016288A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有应变极性拓扑层，所述应变极性拓扑层包括第一应变极性拓扑层、第二应变极性拓扑层和第三应变极性拓扑层。本发明采用特定自发极化系数分布和特定菲利浦电离度分布产生极性反涡和极性拓扑特性，屏蔽力学损耗，降低有源层的应变极化效应，降低空穴注入势垒，提升载流子注入均匀性，提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率，提升激光器的模式增益，增强限制因子和增益均匀性，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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