华虹半导体（无锡）申请 CIS 器件及其制作方法专利，降低暗电流提高 CIS 器件暗光下的图像质量_电子百科

华虹半导体（无锡）申请 CIS 器件及其制作方法专利，降低暗电流提高 CIS 器件暗光下的图像质量

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2025-05-19 20:04:27

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金融界 2025 年 5 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“CIS 器件及其制作方法”的专利，公开号 CN120018607A，申请日期为 2025 年 2 月。

专利摘要显示，公开了一种 CIS 器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上形成第二外延层；在第二外延层中形成深阱区，深阱区与第一外延层接触，从俯视角度观察，深阱区为环形；在深阱区环绕的区域形成像素单元，在形成像素单元的过程中，每次进行曝光前，在第二外延层和深阱区上施加电压使深阱区、第一外延层和第二外延层构成的 PN 结正偏。本申请通过在衬底上形成两层外延层，在顶部的外延层中形成深阱区与底部的外延层电连接，在形成像素单元的过程中，在每次进行曝光前，在第二外延层和深阱区上施加电压使深阱区、第一外延层和第二外延层构成的 PN 结正偏以抽取空穴以及金属离子，从而能够降低暗电流，提高 CIS 器件暗光下的图像质量。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。

来源：金融界

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