华虹半导体申请 LDMOS 器件制作方法专利，提高器件性能
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2025-05-19 20:35:43
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金融界 2025 年 5 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“LDMOS 器件的制作方法”的专利，公开号 CN120018539A，申请日期为 2025 年 2 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种 LDMOS 器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成存储单元器件，第二区域用于形成 LDMOS 器件，衬底上形成有第一介质层，第一介质层上形成有第二介质层；在第一介质层、第二介质层和衬底中形成第一沟槽；在第二区域的第一介质层、第二介质层和衬底中形成第二沟槽，第二沟槽包括第一子区域和第二子区域，第二子区域与所述第二区域中的第一沟槽连通，第二子区域和其连通的第一沟槽构成场板沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中填充第三介质层，场板沟槽中填充的第三介质层形成 LDMOS 器件的场板；去除第二介质层；在场板下方的衬底中形成 LDMOS 器件的掺杂区，在场板上方形成 LDMOS 器件的栅极。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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