天眼查APP显示,近日,芯联集成电路制造股份有限公司申请的“只读存储器及制备方法、只读存储器单元电阻的调整方法”专利公布。 摘要显示,本发明提供一种只读存储器及其制备方法、调整只读存储器单元电阻的方法,所述只读存储器的只读存储器单元布置在金属互连结构中,且所述只读存储器单元包括MIM结构,所述ROM单元通过所述MIM结构存储数据“1”或者“0”。本发明采用后道工序(BEOL)形成的MIM结构来存储数据“1”或者“0”,其相较于现有技术中的前道工序(FEOL)形成的晶体管存储数据“1”或者“0”,提供了一种新型的存储数据的只读存储器单元,并且在流片验证时可以缩短验证周期,还可以降低流片验证的工艺复杂度和流片验证成本。