蜀郡微电子申请基于MOS型反熔丝击穿特性的PUF标签生成方法和验证系统专利，有效防止集成电路被仿冒、盗版
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2025-05-20 16:07:38
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都蜀郡微电子有限公司申请一项名为“基于MOS型反熔丝击穿特性的PUF标签生成方法和验证系统”的专利，公开号CN120012173A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，基于MOS型反熔丝击穿特性的PUF标签生成方法和验证系统，涉及集成电路技术。本发明的PUF标签生成方法包括下述步骤：a、采用逐渐增大的电压，对MOS型反熔丝单元进行击穿操作；b、对击穿后的MOS型反熔丝单元施加电压进行测量，记录栅电流——栅电压特征值，作为该MOS型反熔丝单元的特征信息，该MOS型反熔丝单元即成为PUF标签标签。
天眼查资料显示，成都蜀郡微电子有限公司，成立于2013年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1620.3704万人民币。通过天眼查大数据分析，成都蜀郡微电子有限公司参与招投标项目36次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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