聚灿光电申请倒装结构发光二极管制备方法专利，提高发光二极管性能
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2025-05-15 10:42:36
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金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种倒装结构发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119677248 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种倒装结构发光二极管制备方法。ALD沉积AL2O3前，使用N2、N2O或O3 plasma清洁GAN表面，提高GAN MESA侧面清洁度、消除侧面残留离子和基团，进而使用TMAL和H2O反应沉积薄膜，改善1ua小电流开启电压低问题；ALD沉积AL2O3，前10‑100脉冲循环使用TMAL和O3作为反应源，解决GAN和AL2O3界面‑OH基、电荷残留问题，后续成膜使用TMAL和H2O反应，既满足了1ua小电流开启电压低问题，又保证了生产成本、效率；使用TMAL和H2O反应沉积AL2O3，将整个膜层分割为2‑10段，两段之间使用N2或者N2O plasma清洁，消除AL2O3和GAN界面残留离子和电荷以及膜层中反应不充分离子残留，改善1ua小电流开启电压低问题。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币，实缴资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息159条，此外企业还拥有行政许可31个。
来源：金融界
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