京东方华灿光电申请发光二极管制备方法及发光二极管专利，增大台阶底面宽度
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2025-05-15 10:42:42
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金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管制备方法及发光二极管”的专利，公开号 CN 119789620 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管制备方法及发光二极管。所述方法包括：在衬底上制作外延结构；在所述外延结构上制作一层第一电流阻挡薄膜，所述第一电流阻挡薄膜具有第一通孔；在所述第一电流阻挡薄膜遮挡下，对所述外延结构进行图形化处理，在所述外延结构与所述第一通孔对应位置形成台阶结构对所述第一电流阻挡薄膜进行图形化处理，除去所述第一电流阻挡薄膜边缘部分形成缺口，得到第二电流阻挡薄膜；在所述第二电流阻挡薄膜遮挡下，对所述外延结构进行图形化处理，在所述外延结构与所述缺口对应位置形成隔离槽，并使得所述台阶结构的台阶底面的宽度增大。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目39次，专利信息947条，此外企业还拥有行政许可36个。
来源：金融界
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