上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利，减小晶体管的关态下的源漏漏电流
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2025-05-20 21:07:40
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120018540A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，衬底包括晶体管；形成覆盖晶体管的堆叠介质层结构，堆叠介质层结构包括沿垂直于衬底顶面的方向依次层叠的第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层；其中第一层间介质层产生的拉应力和第二层间介质层产生的拉应力至少平衡第二层间介质层产生的部分压应力，使得第一层间介质层、第二层间介质层、第三层间介质层共同对晶体管产生的压应力小于预设值，预设值关联于晶体管的关态下的源漏漏电流。本申请方法减小了晶体管的关态下的源漏漏电流（IDSS）。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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