复旦大学传出了好消息，研发出了全球首颗二维芯片，看来高端芯片被封锁的难题，已经看到突破的曙光了，其实就连美欧的有识之士都知道，越是封锁围堵反而促进自主生产。道理很简单，中国作为全球最大的工业生产国，拥有全球唯一的全产业链，要资金有资金，要人才有人才，欠缺的就是经验，利用举国机制，用不了几年时间就能解决最大的难题了。

现在关注国内科技的网友都知道，所谓的贸易战，科技战，真正卡脖子的痛点就是高端芯片无法量产。设计都没问题，就是无法生产，因为没有EUV光刻机,中芯国际几年前就交了几亿定金,可是老美不允许荷兰阿斯麦出口,导致掐脖子了，3nm的芯片都无法量产。

要解决个难题，可以两条腿走路，从了两个路径开始突破。

1.组建新凯莱公司，研发EUV光刻机。一旦光刻机突破了，这层窗户纸就捅破了，我们就追上来了。

2.受限于摩尔定律，1nm应该就是芯片极限了，最多也就两年时间就到顶了，那么可以尝试研发量子芯片，光子芯片进行突围。量子芯片，光子芯片，我们已经造出来了，只是没有大规模量产，证明这条路也是对的，可以继续突破。

10月20日，据俄罗斯卫星通讯社报道。位于上海的复旦大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。

今年4月，复旦大学教授周鹏—刘春森团队于《自然》发表论文称，他们提出的“破晓”二维闪存原型器件实现了400皮秒超高速非易失存储，这是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理支撑。研究团队认为，若要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入互补金属氧化物半导体（CMOS）传统半导体生产线。

如何将二维材料与CMOS电路集成且不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。经过半年多的努力。团队从具有一定柔性特点的二维材料入手，通过模块化集成方案，先将二维存储电路与成熟CMOS电路分离制造，再通过微米尺度的高密度单片互连技术实现完整集成，使芯片集成良率超过94%。

这一成果将二维超快闪存与成熟CMOS工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士认为，这种芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。

接下来就是量产了，毕竟是新技术，产业界预计大概要3~5年时间能够量产。

新凯莱研发的光刻机，估计也是几年之内能够量产。也就是说，所谓的科技战已经没有悬念了，也就几年时间，高端芯片能够完全自主生产了，没有什么技术能阻止我们发展了，从此以后将走上发展的快道车。