安徽格恩半导体申请氮化镓基半导体激光元件专利，提升极化激子的运动速率
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2025-05-21 13:05:34
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基半导体激光元件”的专利，公开号CN120016284A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间设有极化激子晶格层。本发明极化激子晶格层具有空间反演对称性破缺，形成三维拓扑单极子，控制各向异性极化子传播，使费米面上电子空穴含带间嵌套向量，提升极化激子的运动速率，诱导有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，增强激光器限制因子、光功率。降低带间跃迁导致的动态电导率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，抑制非辐射带电激子生成和激子‑电荷的俄歇息复合，增强能带间的级联转换和自旋轨道耦合，增强高能级激子占据数反转，降低激射阀值。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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