三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，方便固晶过程
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2025-05-21 21:09:23
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN120018655A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括：外延结构，外延结构包括第一半导体层，第二半导体层，有源层，第一半导体层远离有源层一侧的表面为第一台面，第二半导体层的上表面被有源层部分覆盖，其上表面未被有源层覆盖的部分为第二台面。第一电极，设置于第一台面，第二电极，设置于第二台面；其中，第二台面靠近第一电极处的短边边缘为第一边缘，第二台面靠近第二电极处的短边边缘为第二边缘，第二边缘处设置若干移除区，移除区的深度H1不小于0.5μm。本发明通过在第二边缘处设置若干移除区的方式，可以使第二边缘具有易于识别的形貌，因此，从背面观测时，可以通过特殊形貌有效的区分第二电极，从而方便固晶过程。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目56次，专利信息596条，此外企业还拥有行政许可340个。
来源：金融界
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