一款高性能PNP型双极性晶体管（BJT），广泛应用于各种开关和放大器电路中。其主要参数包括集电极电流（Ic）最大值为800mA，集射极击穿电压（Vce）最大值为45V，以及功率最大值为225mW。该晶体管的封装类型为SOT-23-3（TO-236），是一种小型表面贴装封装，便于在紧凑的电路板上进行安装。

BCW68GLT1G以高效率和稳定性著称，其DC电流增益（hFE）在10mA和1V时的最小值为120，能够确保在合适的输入条件下提供良好的放大性能。此外，尽管其最大集电极截止电流（Ic）的值为20nA，这表明该器件的关断状态下表现出极低的漏电流，有助于提高电路的整体效能。

在饱和状态下，BCW68GLT1G的集电极-发射极饱和压降（Vce(sat)）在不同的输入基极电流（Ib）下表现为1.5V（在30mA和300mA的Ic时），再加上其工作频率达到高达100MHz，使该器件可以应用于高频开关电路。

BCW68GLT1G具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，这确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。无论是在极端寒冷或高温条件下，该器件均能保持良好的性能，是航空航天、汽车电子以及工业控制等高需求应用场景的理想选择。

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产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: PNP

配置: Single

最大直流电集电极电流: 800 mA

集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V

集电极—基极电压 VCBO: 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 700 mV

Pd-功率耗散: 225 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: BCW68GL

集电极连续电流: - 800 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

引脚图：