晶扬电子申请一种单向超低压静电保护器件专利，能够降低静电保护器件的开启电压
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2025-11-27 11:21:05
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国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种单向超低压静电保护器件”的专利，公开号CN 121013407 A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种单向超低压静电保护器件，包括TVS主器件和低电压触发单元，TVS主器件包括N型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区，第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区相互配合构成一NPN型三极管，N型重掺杂衬底下表面能够与I/O端口一相连，N+重掺杂有源区、第二P+重掺杂有源区能够与I/O端口二相连低电压触发单元设置于I/O端口一与第一P+重掺杂有源区之间，低电压触发单元能够快速正偏导通第一P+重掺杂有源区和N+重掺杂有源区构成的PN结。本发明的有益效果为：能够降低静电保护器件的开启电压。
天眼查资料显示，深圳市晶扬电子有限公司，成立于2006年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1832.249万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶扬电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息66条，此外企业还拥有行政许可15个。
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