MMUN2211LT1G 是一种高性能的数字晶体管，属于 NPN 型预偏压晶体管，主要用于开关和放大电路中。该器件由知名半导体供应商 ON Semiconductor（安森美）推出，具有良好的电气性能和可靠性，适合多种电子应用场景。

性能特点

MMUN2211LT1G 的设计使其非常适合用于低功耗开关操作，该器件在饱和状态下表现出较低的压降，有利于提高系统效率。其最小 DC 电流增益 (hFE) 在低电流条件下仍可达到 35，使其在大多数应用中都能够提供足够的放大能力。

此外，该器件的集电极截止电流（500 nA）非常低，适合用于需要高阻抗状态的应用，如信号传输和信号处理电路。这种特性使得 MMUN2211LT1G 成为现代低功耗电子设备的理想选择，特别是在电流敏感的应用场合下。

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规格参数：

产品种类: 数字晶体管

RoHS:

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 10 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35, 60

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 246 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMUN2211L

直流电流增益 hFE 最大值: 35

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: Digital Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

引脚图：