爱思开海力士申请半导体存储器装置及其制造方法专利，发明一种半导体存储器装置
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2025-05-23 09:05:28
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN120035147A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括栅极层叠物，该栅极层叠物包括在第一方向上彼此交替地层叠的层间绝缘层和导电图案层。沟道结构形成为穿过栅极层叠物并且具有突出到栅极层叠物上方的端部。存储器层围绕沟道结构，该沟道结构具有芯绝缘层。沟道层围绕芯绝缘层。空隙形成在沟道层中。
来源：金融界
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