前言

现阶段，提到氮化镓，你可能会首先想到快充适配器、5G通信基站等电源系统内置的GaNFET，或者高亮度LED。然而，氮化镓的故事远不止现阶段应用那么简单。从最初化学元素的发现，到GaN的首次合成，再到如今的高功率器件和工业化生产，这一百多年的发展凝聚了无数科学家和工程师的智慧。

每一次技术突破都为下一步创新铺平道路，氮化镓百余年发展历程中有无数专家、学者以及科学家推动产业发展历程。为此充电头网整理了氮化镓这一材料的百年发展史，看有哪些人物值得我们铭记。

氮化镓百年发展名人堂

充电头网了解到，在以往百余年时间里由上述各领域专家、学者以及科学家共同推动了氮化镓的发展进程。

Daniel Rutherford丹尼尔·卢瑟福

丹尼尔·卢瑟福是氮元素（Nitrogen）的发现者。1772年卢瑟福重复布拉克当年的煅烧石灰石实验，发现一种不能维持生命，也不助燃烧，也不溶于苛性碱的稳定气体，并命名为“浊气”，这是人类历史上首次发现氮元素，并对其命名。

Dmitri Mendeleev德米特里·门捷列夫

门捷列夫对于化学这一学科的最大贡献在于创建了元素周期表，并总结出元素的性质随着相对原子原子量的递增而呈周期性的变化，即元素周期律。门捷列夫根据元素周期律编制了第一个元素周期表，把已经发现的63种元素全部列入表里，从而初步完成了使元素系统化的任务。他还在表中留下空位，预言了类似硼、铝、硅的未知元素的性质（即后续发现的钪、镓、锗），并指出当时测定的某些元素原子量的数值有错误。而他在周期表中也没有机械地完全按照原子量数值的顺序排列。若干年后，他的预言都得到了证实。门捷列夫工作的成功，引起了科学界的震动。人们为了纪念他的功绩，就把元素周期律和周期表称为门捷列夫元素周期律和门捷列夫元素周期表。

Paul Émile Lecoq de Boisbaudran保罗·埃米尔·勒科克·德·布瓦博德兰

1874年从锌矿中分离出镓元素，其物理性质验证了门捷列夫对“类铝”的预言，成为首个填补周期表空缺的元素。镓的拉丁语命名“Gallium”既指法国古称“高卢”，亦被推测与其姓氏“Lecoq”相关。其光谱分析法革新了元素发现的技术路径，与基尔霍夫、本生等光谱学先驱齐名 。在镓元素研究中，曾因密度数据争议与门捷列夫交锋，最终实验修正后证实理论与实践的契合。

W.C. 约翰逊（W.C. Johnson）、J.B. 帕森斯（J.B. Parsons）与M.C.克鲁（M.C. Crew）

氮化镓的历史可以追溯到1932 年。当年，W.C. 约翰逊（W.C. Johnson）、J.B. 帕森斯（J.B. Parsons）与M.C.克鲁（M.C. Crew） 在美国通用电气实验室首次通过高温固相反应法成功制备出氮化镓，这也是人类历史上第一次获得GaN材料的纪录。他们团队采用氨气与金属镓在高温条件下反应的方式，制得了早期形态的氮化镓固体，为后续氮化镓半导体的发展奠定了重要基础。

H.P. 马鲁斯卡（H.P. Maruska）和J.J. 蒂杰恩（J.J. Tietjen）

H.P. 马鲁斯卡（H.P. Maruska）与J.J. 蒂杰恩（J.J. Tietjen）于1969年在贝尔实验室（Bell Labs）首次成功在蓝宝石（sapphire）衬底上外延生长出高质量的氮化镓（GaN）单晶薄膜。他们采用 金属有机化学气相沉积（MOCVD）前身的氢化物气相外延 HVPE 技术，解决了当时 GaN 难以成核、难以沉积的技术瓶颈，为后续 GaN 蓝光 LED、激光器与功率器件的发展奠定了基础。

Isamu Akasaki赤崎勇、Hiroshi Amano天野浩、Shuji Nakamura中村修二

赤崎勇、天野浩和中村修二三位科学家陆续通过发展高质量氮化镓外延生长和掺杂技术，使得高亮度蓝光 LED 的实现成为可能，从而彻底改变了照明与显示技术的面貌。三人因此因发明高亮度蓝色发光二极管，并由此实现白光照明而共同获得了2014年诺贝尔物理学奖。

Russell Dupuis罗素·杜普利

Russell Dupuis罗素·杜普利被广泛认为是现代MOCVD技术在化合物半导体尤其是GaAs和GaN器件应用中的奠基人之一。他在20世纪70年代就开始用MOCVD生长高质量GaAs外延层，并开发了MOCVD工艺优化，使其成为工业化可行的手段。

Muhammad Asif Khan穆罕默德·阿西夫·汗

穆罕默德·阿西夫·汗是氮化物半导体领域的重要科学家之一，他在1990年代率先推动了GaN、AlGaN等宽禁带材料在高频、高功率电子器件中的应用研究。他所在的团队成功制备了早期的 氮化镓金属半导体场效应管（GaN MESFET），这是氮化镓功率电子器件发展史上的关键一步。

GaN MESFET的实现验证了氮化镓材料在高温、高电压与高频领域的巨大潜力，为后来更先进的HEMT和氮化镓器件奠定了技术基础。

Heyue郝跃

郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓/碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。郝跃院士是中国宽禁带半导体领域的重要推动者。他带领团队多年在GaN及SiC器件上持续突破。

充电头网总结

百余年来，氮化镓的发展离不开全球科学家的不断探索与创新。从基础科学的奠基者门捷列夫、卢瑟福和布瓦博德兰，到GaN合成与单晶薄膜外延的先驱，再到高亮度蓝光LED、GaN MESFET及现代MOCVD工艺的发展者，每一位科学家都在推动GaN材料从实验室走向产业化的道路上留下了不可磨灭的印记。如今，氮化镓已成为高效电源、照明显示、通信及工业电子不可或缺的核心材料，其潜力还在逐步释放。