长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，制造半导体结构的方法包括键合第一半导体结构和第二半导体结构_电子百科

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，制造半导体结构的方法包括键合第一半导体结构和第二半导体结构

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2025-05-23 09:05:37

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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN120035128A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。制造半导体结构的方法包括：键合第一半导体结构和第二半导体结构，形成键合结构，其中第一半导体结构包括存储阵列，键合结构位于第一半导体结构和第二半导体结构之间；以及在远离键合结构的一侧形成电源线，其中电源线向第二半导体结构供电，供电后的第二半导体结构控制存储阵列。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1384次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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