格科微申请半导体器件刻蚀方法及图像传感器专利，提高器件合格率
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2025-05-23 10:08:15
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件刻蚀方法及其形成的图像传感器”的专利，公开号CN120033077A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件刻蚀方法及其形成的图像传感器，减小第一光刻图形的线宽，得到第二光刻图形，根据第二光刻图形，刻蚀半导体衬底形成第一沟槽，在第一沟槽表面形成介质层，根据第一光刻图形，蚀介质层和半导体衬底，形成第二沟槽，获得传感器传感器的单元之间的隔离沟槽。本发明令掩膜层的宽减小，以提供空间在第一沟槽的表面形成介质层，利用介质层来保护第一沟槽的侧壁，确保在刻蚀第二沟槽的过程中不会破坏第一沟槽的侧壁，提高了器件的合格率。在两次刻蚀中重复使用第二掩膜层，无需新增其他掩膜，有利于控制成本。
天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1097条，此外企业还拥有行政许可42个。
来源：金融界
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