上海灵昉科技取得单光子雪崩二极管器件和tof接收芯片专利，增大光子探测效率
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2025-05-23 11:07:28
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海灵昉科技有限公司取得一项名为“一种单光子雪崩二极管器件和tof接收芯片”的专利，授权公告号CN222897490U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请涉及SPAD领域，公开了一种单光子雪崩二极管器件和tof接收芯片，包括：衬底和位于衬底上方的外延片；在外延片上方沿着外延片厚度方向向下延伸的第一P型掺杂区、第一N型掺杂区和第二N型掺杂区，其中，第一N型掺杂区围绕在第二N型掺杂区周围，第一P型掺杂区围绕在第一N型掺杂区周围，第一P型掺杂区和第一N型掺杂区形成PN结；位于外延片上方的P型隔离区；位于衬底背离外延片一侧的微透镜。本申请中PN结是纵向的，也即雪崩区域为垂直的，可以通过增加PN结的延伸深度来增大雪崩击穿面积，从而增大光子探测效率，同时可以有效避免边缘击穿以及暗电流过大的情况的出现。
天眼查资料显示，上海灵昉科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本120万人民币。通过天眼查大数据分析，上海灵昉科技有限公司专利信息33条。
来源：金融界
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