上海华力申请SRAM存储单元及其版图专利，11晶体管SRAM具备更稳健的电流驱动能力
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2025-05-24 17:09:12
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SRAM存储单元及其版图”的专利，公开号CN120032673A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明提供一种SRAM存储单元，一6晶体管SRAM结构和一5晶体管的aXNOR结构；PM0、PM1的源极连接存储单元工作电源VDD，PM0、PM1的漏极分别连接NM0、NM1的漏极；PM0的栅极连接NM0的栅极形成第一存储节点QB，PM1的栅极连接NM1的栅极形成第二存储节点Q；NM0、NM1的源极连接地线VSS；NM2的漏极连接信号BL，源极连接第一存储节点Q，栅极连接信号WL；NM3的源极连接信号BLB，漏极连接第二存储节点QB，栅极连接信号WL；PM6、PM7的源极相连，PM6的栅极接第一存储节点Q，PM7的栅极接第二存储节点QB，PM6的漏极接特征数据信号XIN(1)，PM7的漏极接特征数据信号XIN(0)。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2072次，专利信息2299条，此外企业还拥有行政许可342个。
来源：金融界
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