索凡特科技申请射频MEMS开关专利，提高开关性能_电子百科

索凡特科技申请射频MEMS开关专利，提高开关性能

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2026-01-26 22:40:46

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国家知识产权局信息显示，索凡特科技有限公司申请一项名为“射频MEMS开关”的专利，公开号CN121399711A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种射频RF微机电系统MEMS开关，包括：衬底；在所述衬底上的第一信号导体；在所述第一信号导体的任一侧上支撑在所述衬底上的接地导体；以及MEMS桥，其至少一端通过至少一个锚点机械连接到所述衬底，所述MEMS桥包括设置在所述第一信号导体上方的可变电容器区，所述可变电容器区包括第一电介质层和第一导电层，所述第一导电层位于所述第一电介质层的面向所述衬底的表面上，并且分成至少第一纵向导电部分和第二纵向导电部分，所述第一纵向导电部分和所述第二纵向导电部分在垂直于所述MEMS桥的纵向长度的方向上间隔开，其中所述衬底包括一个或多个下拉衬底导体，并且所述MEMS桥包括位于所述锚点与所述可变电容器区之间并且设置在所述一个或多个下拉衬底导体上方的一个或多个可致动导体，其中所述一个或多个可致动导体中的至少一个包括嵌入部分，所述嵌入部分沿着所述MEMS桥并且在所述第一和第二纵向导电部分之间纵向延伸。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示科技导电投资纵向开关导体包括专利可变电容器区衬底索凡特

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