湖南国芯半导体申请氮化镓器件及其制备方法专利，提高器件耐压能力
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2026-01-27 21:51:06
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国家知识产权局信息显示，湖南国芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398063A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及氮化镓器件技术领域，特别涉及一种氮化镓器件及其制备方法。氮化镓器件由下至上依次包括：衬底；缓冲层；GaN沟道层；AlGaN势垒层；栅极；源极；漏极；在所述栅极靠近漏极侧面的竖直方向投影处，缓冲层对应有一厚度落差，其靠近漏极侧区域厚度小于靠近源极侧区域厚度；在所述缓冲层栅漏区域，有一GaN沟道掺杂区。针对氮化镓器件栅极区域和栅漏区域在工作时的不同电场分布，进行对应的GaN沟道层厚度设计，提升器件栅控能力，减少关态漏电；在栅漏区域下方投影的GaN沟道层特定位置制备GaN掺杂区，通过调整器件关断状态下的耗尽层空间电荷密度及分布，均匀化电场分布，降低电场峰值，提高器件耐压能力。
天眼查资料显示，湖南国芯半导体科技有限公司，成立于2018年，位于株洲市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南国芯半导体科技有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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