芯迈半导体申请结型场效应管及其制造方法专利，提高器件耐压_电子百科

芯迈半导体申请结型场效应管及其制造方法专利，提高器件耐压

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2026-01-29 10:16:17

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种结型场效应管及其制造方法”的专利，公开号CN121419299A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种结型场效应管，包括：半导体层，包括外延层；沟槽，自半导体层的第一表面向内部延伸，所述沟槽的底部位于所述外延层中；阱区，位于沟槽的侧壁的外延层区域，所述阱区的底部高于所述沟槽的底部，所述阱区的其中一个侧壁暴露于所述沟槽中；栅掺杂区，位于阱区中，所述栅掺杂区的其中一个侧壁暴露于所述沟槽中；以及栅电极，位于所述沟槽中，其中所述栅电极的侧壁的部分区域与所述栅掺杂区暴露于所述沟槽的侧壁相接。本申请公开的结型场效应管，在栅极沟槽中填充整个栅电极，在栅极沟槽的侧壁形成阱区，与栅极相连，从而可以利用栅极沟槽底部、栅极沟槽与栅电极间的绝缘层进行电荷平衡，引入栅极底部的场板效应来优化器件内部的电场分布，提高器件耐压。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息209条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法栅极投资沟槽导体杭州专利的底部侧壁结型场阱区

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