中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低栅极结构的坍塌概率
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2026-01-30 13:10:53
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121419302A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：伪鳍部，凸立于第二区的衬底上；底部隔离层，位于第一区的衬底上；鳍部，凸立于第一区的底部隔离层上；栅极结构，栅极结构横跨鳍部和伪鳍部，栅极结构覆盖鳍部和伪鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明实施例中，栅极结构覆盖鳍部和伪鳍部的部分顶部和部分侧壁，即伪鳍部能够对栅极结构起到支撑作用，从而降低栅极结构的坍塌概率，相应降低第一区的底部隔离层上的鳍部发生坍塌的概率；同时，相较于鳍部和底部隔离层一一对应的方案，底部隔离层覆盖整个第一区，底部隔离层的尺寸变大，即增大了形成底部隔离层的工艺窗口，从而降低形成底部隔离层的难度，进而提高底部隔离层的质量。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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