润新微电子申请耗尽型氮化镓芯片及其制备方法专利，芯片的平坦度更好
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2026-01-30 18:45:26
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国家知识产权局信息显示，润新微电子（大连）有限公司申请一项名为“一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件”的专利，公开号CN121419282A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体公开一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件，耗尽型氮化镓芯片包括栅电极、第一介质层、第二介质层、第三介质层和至少包括两层场板的第一场板单元，第一场板单元至少部分位于第二介质层与第三介质层之间，栅电极位于第一场板单元靠近源电极的一端且位于第三介质层与叠层结构之间，沿平行于衬底长度方向的水平方向，第一介质层、第二介质层、栅电极与第一场板单元均位于源电极欧姆金属与漏电极欧姆金属之间；源电极欧姆金属、栅电极与第一场板单元同层设置。本发明的耗尽型氮化镓芯片，简化工艺的同时可在一层介质层上形成多层场板，芯片的平坦度更好，使得封装后的器件可更好地应用在电路中。
天眼查资料显示，润新微电子（大连）有限公司，成立于2016年，位于大连市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析，润新微电子（大连）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可18个。
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来源：市场资讯
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