上海鑫雁微电子申请带三重隔离结构的霍尔元件专利，最大程度降低外界直流电流干扰
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2026-01-30 19:42:25
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国家知识产权局信息显示，上海鑫雁微电子股份有限公司申请一项名为“一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法”的专利，公开号CN121419548A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及霍尔传感器技术领域，提供一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法，本申请提出的霍尔元件包括两对参与电气连接的霍尔接触区，位于霍尔接触区两侧并有一定间隙距离的氧化物隔离结构，将霍尔板区域垂直方向完全隔离的氧化物埋层，利用隔离结构与埋氧层实现霍尔板与外界完全隔离，最大程度降低外界直流电流干扰，同时控制霍尔板厚度与电流路径，起到提高灵敏度的同时降低噪声干扰的作用，利用与霍尔板侧面接触的P阱，与氧化物埋层垂直底部接触并和霍尔板侧面P阱连接的PBL，紧贴PBL下表面的NBL，与NBL连接并将霍尔板和P阱围绕的N阱，与衬底相连并且围绕在最外层的P阱，形成三圈环包围结构，防止衬底噪声和EMI电磁干扰引起的霍尔电压变化。
天眼查资料显示，上海鑫雁微电子股份有限公司，成立于2010年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鑫雁微电子股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息6条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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