芯朋微电子申请半导体器件及其制备方法专利,提高ESD的性能
创始人
2026-01-31 16:42:11
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国家知识产权局信息显示,无锡芯朋微电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN121442751A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,本申请的半导体器件,包括外延片,外延片具有相邻的有源区和终端区,终端区上依次设置有氧化层和本征多晶硅层,其中,本征多晶硅层中形成有交替设置的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域,相邻的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域形成PN结,多个PN结依次连接,有源区的外延片向下凹陷形成有栅极沟槽,栅极沟槽内填充有掺杂多晶硅以形成沟槽栅。本申请提供的半导体器件及其制备方法,能够在不影响栅极电阻的情况下,提高ESD的性能。

天眼查资料显示,无锡芯朋微电子股份有限公司,成立于2005年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13131.0346万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡芯朋微电子股份有限公司共对外投资了13家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息47条,专利信息93条,此外企业还拥有行政许可13个。

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来源:市场资讯

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