德州仪器申请包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路专利，可在不同电压电平下操作
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2026-02-02 15:45:40
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路”的专利，公开号CN121444605A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，公开了一种包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路(IC)(400)和其制造方法。所述IC(400)包括：衬底，其包含第一区(403A/C)和第二区(403B)，其中闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1)形成在所述第一区(403A/C)中；第一晶体管(491)，其形成在所述第一区(403A/C)中并且可在第一电压电平下操作，所述第一晶体管(491)包含形成在不发生氮化的第一栅极氧化物层(486)上方的栅极(489)；以及一或多组第二晶体管(471A/B)，其形成在所述第二区(403B)中，每一组第二晶体管(471A/B)可在不同于所述第一电压电平的对应第二电压电平下操作并包含经过氮化处理的对应第二栅极氧化物层(450)。
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