中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的器件密度
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2026-02-07 11:16:28
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121463452A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底；栅极叠层，位于基底上，栅极叠层包括多个自下而上交替堆叠的隔离层与栅极层；沟道环，沟道环为贯穿栅极叠层的环形柱状结构；源极柱与漏极柱，贯穿于沟道环内部，源极柱与漏极柱分别与相对位置处的沟道环相接触，且源极柱与漏极柱相隔离：分隔层，分隔层在沟道环外侧沿源极柱与漏极柱所在直线延伸、且贯穿沟道环外侧的栅极叠层，以将包覆沟道环的栅极叠层分割为位于源极柱与漏极柱所在直线两侧的部分。本发明有利于提高半导体结构的器件密度。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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