拓荆创益申请加热盘及半导体设备专利，显著提升薄膜沉积均匀性
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2026-02-10 22:49:24
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种加热盘及半导体设备”的专利，公开号CN121472829A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种加热盘及半导体设备。为了实现上述目的，本发明提供了一种加热盘，包括盘体和盘柄；所述盘体上设置有多圈同心吸附沟槽和多个径向吸附沟槽，所述多圈同心吸附沟槽通过所述径向吸附沟槽连通；所述盘柄内部设置有主抽气管路，所述主抽气管路与所述径向吸附沟槽连通；其中，最外圈同心吸附沟槽的直径被配置为：使所述加热盘产生的真空吸附力大于或等于将预定翘曲状态的晶圆压平所需的最小吸附力。本发明通过基于薄板弯曲理论和真空压差原理确定最外圈同心吸附沟槽直径，实现了对高翘曲晶圆的稳定吸附与快速压平，显著提升薄膜沉积均匀性、降低工艺缺陷率并提高晶圆生产良率。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息469条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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