华为申请存储阵列及其制备方法专利，改善存储阵列及其所应用的存储器印记印象、保持特性和耐久性_电子百科

华为申请存储阵列及其制备方法专利，改善存储阵列及其所应用的存储器印记印象、保持特性和耐久性

创始人

2026-02-14 15:40:37

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备”的专利，公开号CN121510590A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请实施例公开一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域。存储阵列包括铁电电容器。铁电电容器包括第一电极层、第二电极层、第一铁电层、第一电偶极子插层和电子注入插层。第二电极层与第一电极层相对设置。第一铁电层位于第一电极层和第二电极层之间。第一电偶极子插层位于第一铁电层和第二电极层之间。电子注入插层位于第一铁电层和第一电偶极子插层之间。电子注入插层的材料的电阻率小于第一电偶极子插层的材料的电阻率。在利用第一电偶极子插层增大存储窗口、降低操作电压和功耗的基础上，可以利用电子注入插层引入大量的自由电子，改善存储阵列及其所应用的存储器印记印象、保持特性和耐久性。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1709个。

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来源：市场资讯

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