国家知识产权局信息显示,一塔半导体(安徽)有限公司申请一项名为“用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备”的专利,公开号CN121519018A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明公开了一种用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备,包括:基座接触座,其内部设有用于向基座输送气体的导气通道;导气管固定座,设置于所述基座接触座的下方;导气管,其上端与所述导气通道连通,且所述导气管的顶端抵接所述基座接触座,所述导气管的底端抵接所述导气管固定座;隔热连接结构,设置于所述基座接触座与所述导气管固定座之间,使两者的相邻表面之间形成分离的隔热间隙;扩展散热面结构,设置于所述导气管固定座上,用于增加所述导气管固定座的散热表面积。具有有效减少高温基座向底部精密部件的热传导路径、减少热量传递、保护磁流体密封件等敏感组件、提高设备运行稳定性和使用寿命的优点。
天眼查资料显示,一塔半导体(安徽)有限公司,成立于2024年,位于合肥市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本613.33万人民币。通过天眼查大数据分析,一塔半导体(安徽)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息23条,专利信息26条,此外企业还拥有行政许可2个。
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