国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器及阵列存储单元”的专利,公开号CN121568390A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明提供了一种SONOS存储器及阵列存储单元,包括:位于阱区的表面的选择管栅氧,位于选择管栅氧表面的选择栅多晶硅,位于选择栅多晶硅两侧的存储管多晶硅,存储管多晶硅和选择栅多晶硅之间通过ONO层隔开,覆盖部分存储管多晶硅的侧墙,侧墙位于存储管多晶硅的与选择栅多晶硅相对的一侧,侧墙覆盖阱区的表面,在侧墙下方的阱区内形成有LDD区,在阱区内形成有第一源漏注入区和第二源漏注入区,第一源漏注入区与选择栅多晶硅一侧的LDD区邻接,第二源漏注入区与选择栅多晶硅另一侧的LDD区邻接,第一源漏注入区和第二源漏注入区均位于侧墙的与存储管多晶硅相对的一侧,选择栅多晶硅两侧的存储管多晶硅电性连通。
天眼查资料显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目930次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可429个。
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来源:市场资讯