长飞先进半导体申请键合片解键合方法专利，提升器件性能稳定性和可靠性
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2026-03-02 11:14:32
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“一种键合片解键合的方法”的专利，公开号CN121586407A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种键合片解键合的方法。所述键合片包括晶圆，所述晶圆包括相对设置的镀银面和器件面；载体，所述载体通过键合介质层，与器件面键合；所述键合片解键合的方法包括以下步骤：在所述镀银面设置耐高温膜；热滑移解键合，分离晶圆与载体；去除所述耐高温膜。本发明通过在热滑移解键合前，在镀银面设置耐高温保护层，以将镀银面的银层与空气进行物理隔绝，避免热滑移解键合过程中银层被氧化，保证银层的洁净，从而提升器件的性能稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目42次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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