甬矽半导体取得高密度桥连封装方法专利
创始人
2026-03-03 09:13:33
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“高密度桥连封装方法和封装结构”的专利，授权公告号CN121034964B，申请日期为2025年10月。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可19个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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