原集微电子申请半导体结构制备方法专利，避免材料结构损伤
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2026-03-03 13:13:33
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国家知识产权局信息显示，原集微（上海）电子有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121604801A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一基底，第一基底包括第一衬底和依次层叠于第一衬底上的第一二维半导体层、第一绝缘层，提供第二基底，第二基底包括第二衬底和依次层叠于第二衬底上的第二二维半导体层、第二绝缘层，将第二基底倒置，使第二基底中的第二绝缘层与第一基底中的第一绝缘层键合，去除第二衬底，保留位于第一基底上的第二绝缘层和第二二维半导体层。在二维半导体薄膜的转移、堆叠过程中，第二衬底、第二绝缘层作为刚性支撑层，可以避免第二二维半导体层存在材料结构上的损伤，此外，去除衬底不会采用有机溶剂避免引入有机污染。
天眼查资料显示，原集微（上海）电子有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，原集微（上海）电子有限公司专利信息3条。
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来源：市场资讯
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